بعد از قرارگیری زیرلایه در محلول لایه­نشانی، ذرات فلزی بر سطح کاتالیز شده زیرلایه رسوب می­ کنند. رسوب فلز در این فرایند از یک مکانیسم الکتروشیمیایی پیروی می­ کند(مثل واکنش­های اکسایش و کاهش) که شامل انتقال الکترون­ها بین انواع واکنش دهنده­های شیمیایی می­باشد. اکسایش با از دست دادن الکترون­ها و کاهش با بدست آوردن الکترون­ها همراه است. بنابراین اکسایش، یک فرایند آندی و کاهش، یک فرایند کاتدی را نشان می­دهد. یک مدل الکتروشیمیایی استفاده شده برای فرایند رسوب­دهی الکترولس فلز، بر اساس تئوری پتانسیل مخلوط فرایند رسوب پیشنهاد داده شده است. بر اساس تئوری پتانسیل مخلوط رسوب­دهی الکترولس، واکنش کلی می ­تواند به یک واکنش کاهشی و یک واکنش اکسایشی تجزیه شود. این واکنش های کاهشی و اکسایشی در زیر توصیف شد.

معادله ۱-۳- کاهش
معادله ۱-۴- اکسایش
که  یون فلزی،  عامل کاهنده،  اتم فلزی،  محصول اکسایش در اثر عامل کاهنده،  الکترون، z و  تعداد الکترون های منتقل شده درواکنش های اکسایشی کاهشی هستند.
واکنش کلی رسوب الکترولس توسط معادله ی ۱-۵ نشان داده شده است. تصویر شماتیک اجزای اصلی رسوب الکترولس در شکل ۱-۹ نشان داده است[۹۳].
معادله ۱-۵- واکنش کلی
شکل ‏۱‑۸- تصویر شماتیک اجزای اصلی لایه­نشانی احیایی[۹۳]
زیرلایه
جنس زیرلایه­ی مورد استفاده نیز بسیار مهم می­باشد. منسوج دارای ساختار سه بعدی است. ویژگی ساختارهای منسوج توسط ویژگی­های خاص الیاف تشکیل­دهنده و ساختارهای نخ و پارچه تعیین می­ شود. پلی­استر گسترده­ترین منسوج مصنوعی مورد استفاده است که یک چهارم الیاف تولیدی جهان را تشکیل می­دهد. پلی­استر انواع متفاوتی دارد. ساختار شیمیایی پلی­استر در شکل ۱-۱۰ نشان داده می­ شود.

شکل ‏۱‑۹- ساختار شیمایی پلی اتیلن ترفتالات[۹۳]
پلی­استر مزایایی زیادی همچون قیمت ارزان، استحکام بالا، انعطاف­پذیری، سبک­وزنی و ثبات ابعادی دارد. پلی­استر دارای نقطه ذوب بالایی است و در برابر رنگ، حلال­ها و بیشتر مواد شیمیایی، لک، کشش و جمع­شدگی مقاوم است. سریع خشک می­ شود و در برابر سایش، سفیدک و چین و چروک مقاوم است. پلی­استرها ثیات خوبی در برابر نور، اکسیژن، آب و بسیاری از مواد شیمیایی دارند. علاوه بر مزایای ذکر شده، پلی­استر ویژگی­های نامطلوبی همچون آبگریزی، تولید و تجمع بار الکتریکی ساکن، چربی­دوست بودن می­باشد[۹۲, ۹۵]
روش متداول برای ایجاد خوردگی و تشکیل گروه ­های هیدروکسیل در سطح پارچه پلی استری، استفاده از روش هیدرولیز قلیایی می­باشد. در طی این فرایند سطح پارچه دچار خوردگی شده و یکسری گروه ­های هیدروکسیل در آن ایجاد می­ شود[۹۵].
آماده ­سازی زیرلایه با فرایند پلاسما
فرایند پلاسما
در سال ۱۸۷۹ آقای ویلیام کروک مفهوم پلاسما را به عنوان حالت چهارم ماده پیشنهاد کرد. در سال ۱۹۲۸ شیمیدان امریکایی ایروینگ لانگمیور برای اولین بار از واژه­ی پلاسما استفاده کرد. پلاسما مخلوطی از گونه­ های واکنش­پذیر مانند رادیکال­های آزاد، الکترون­ها و ذرات سنگین است که آن را به یک وسیله­ بی­نظیر و متنوع برای اصلاح سطح تبدیل می­ کند. تکنولوژی پلاسما یک فرایند تمیز و خشک است که نسبت به فرآیندهای شیمیایی قدیمی مزایای متعددی دارد و از نظر اقتصادی مقرون به صرفه­تر و دوستدار محیط زیست است. با توجه به پتانسیل­های متنوع و ویژگی­های بی­نظیر پلاسما، از آن با موفقیت در زمینه ­های مختلفی از جمله الکترونیک، صنایع ابزارسازی، خودرو، دستگاه­های پزشکی و به طور کلی صنعت پلاستیک و فیلم استفاده شد[۹۶].
ساختار و خواص مواد نساجی کاملا متفاوت و پیچیده­تر از سطح پلاستیک و فلز است. اساسا خواص سطح نقش مهمی را در مراحل مختلف تولید منسوج و همچنین عملکرد ویژه و معمولی منسوج دارد. بسیاری از خواص منسوجات مثل ترشوندگی، چسبندگی، قابلیت چاپ، اصطکاک، تولید بار ساکن، جمع­شدگی(در مورد پشم)، مقاومت در برابر آب، مقاومت در برابر لک، تا حد زیادی تحت تاثیر ویژگی­های سطح منسوج است. به عبارت دیگر با اصلاح سطح می­توان خصوصیات و عملکرد متنوع و مطلوبی را در منسوجات ایجاد کرد[۹۷].
با ظهور فناوری پلاسما، تحولی جدید در عرصه بهبود خواص سطحی مواد مختلف بوجود آمده است. پلاسما از طریق برخورد الکترون­ها و فرآیندهای فتوشیمیایی باعث قطع ارتباط مولکول­ها و درنتیجه تولید رادیکال­های آزاد با چگالی بالا می­ شود. این عمل باعث اختلال پیوندهای شیمیایی در سطح الیاف و پلیمرها و درنتیجه شکل­ گیری گونه­ های شیمیایی جدید می­ شود. هم شیمی سطح و هم توپوگرافی سطح تحت تاثیر پلاسما تغییر می­ کند اما در ویژگی­های اصلی ماده تغییری ایجاد نمی­کند. [۹۵, ۹۸].
برهم­کنش بین پلاسما با سطح منسوجات
مشکلات چسبندگی مخصوصا برای پارچه­هایی با الیاف مصنوعی در هنگام پوشش­دهی و چاپ منسوجات وجود دارد. بسیاری از زیرلایه­ی پلیمری به دلیل انرژی سطحی کم، چسبندگی ضعیفی دارند. چسبندگی از ویژگی­های سطح است که اغلب توسط لا­یه­ای از مولکول­ها کنترل می­ شود. انواع بسیاری از روش­های مرطوب و شیمیایی برای افزایش چسبندگی سطح وجود دارد ولی به دلیل ملاحظات زیست­محیطی و ایمنی قابل قبول نیستند. در اصلاح الیاف و پلیمرها با پلاسما، ذرات پرانرژی و فوتون­های تولیدشده به شدت با سطح زیرلایه برهم­کنش داشته و باعث چهار اثر عمده­ی تمیز کردن سطح، فرسایش، پیوند عرضی مولکول های نزدیک سطح و اصلاح ساختار شیمیایی سطح می­شوند[۹۹]. از ویژگی­های جالب پلاسما این است که به دلیل سطح نفوذ کم، تغییرات در عمق چند نانومتر محدود می­شوند[۹۸]
برای بررسی کاربردهای بالقوه پلاسما در منسوجات، فهمیدن برهم­کنش بین گونه­ های پلاسما با منسوجات ضروری است. وقتی که گونه­ های برانگیخته و پرانرژی پلاسما(یون­ها، رادیکال­ها، الکترون­ها ) سطح منسوج یا پلیمر را بمباران می­ کنند، واکنش­های متنوعی را آغاز می­ کنند. به طور کلی، پلاسما می ­تواند دو نوع برهم کنش با سطح داشته باشد. نوع اول گسیختگی زنجیرهای سطح است که باعث کنده­کاری، تمیز کردن و یا فعال­سازی می­ شود. نوع دوم برهم­کنش باعث پلیمریزاسیون یا برقراری پیوند جدید می­ شود. برهم­کنش نوع اول با بهره گرفتن از گازهای غیر پلیمریزه کننده مثل هلیوم، آرگون، اکسیژن، هوا و نیتروژن انجام می­ شود. پلیمریزه کردن یا ایجاد پیوند بر روی سطح منسوج می ­تواند با بهره گرفتن از گازهای پلیمریزه­کننده متنوعی مثل فلوروکربن­ها، هیدروکربن­ها و سیلیکون حاوی مونومرها انجام شود. شکل۱-۱۱ (الف) و (ب) هر دو نوع برهم­کنش را نشان می­دهد[۹۶].
شکل ‏۱‑۱۰- برهم­کنش بین سطح و پلاسما
در هر دو نوع برهم­کنش بین سطح و پلاسما، گازهای حامل نقش بسیار مهمی را ایفا می­ کنند. معمولا گازهای بی­اثر مثل هلیوم یا آرگون به عنوان گاز حامل، هم برای کنده­کاری سطح و هم برای پلیمریزه کردن توسط پلاسما، می ­تواند استفاده شود. اصلاح سطح منسوجات با بهره گرفتن از گازهای غیر پلیمریزه­کننده به پارامترهای مختلفی مثل مدت زمان قرارگیری در معرض پلاسما، ماهیت گاز مورد استفاده، ماهیت زیرلایه و قدرت تخلیه، بستگی دارد. نوع گاز مورد استفاده برای تولید پلاسما هم، نقش مهمی را ایفا می­ کند. چون می ­تواند ویژگی­های متفاوتی را بر روی سطح منسوج ایجاد کند. روبل و همکارانش اثر گازهای مختلف مثل نیتروژن، اکسیژن، هوا، کربن­دی­اکسید و آمونیاک را بر روی خواص پارچه­ی پلی­استری اصلاح شده با پلاسما بررسی کردند. گزارش شد که گازهای مختلف در پلاسما، تغییرات مورفولوژیکی و شیمیایی متفاوتی را بر روی سطح پارچه­ی پلی­استری ایجاد می­ کنند. بنابراین برای انتخاب گاز پلاسما باید بسیار دقت کرد تا ویژگی موردنظر در سطح منسوج را ایجاد کند. گازهای بی­اثر عمدتا فعال­سازی سطح را با تولید رادیکال­های آزاد در سطح بوسیله­ی گسیختگی زنجیرها انجام می­ دهند. در حالی­که گازهای واکنش­گری همچون اکسیژن و آمونیاک، گروه­هایی شامل اکسیژن یا نیتروژن ایجاد کنند. این تغییرات در شیمی سطح ممکن است منجر به کاربردهای مختلفی مثل بهبود در چسبندگی، چاپ، رنگرزی و .. شود[۹۶].
منسوجات مورد عمل قرار گرفته با پلاسما تحت تغییرات شیمیایی و فیزیکی از جمله تغییرات شیمیایی در لایه­ های سطحی، تغییرات در ساختار لایه­ی سطحی، تغییرات در خصوصیت­های فیزیکی لایه­ های سطحی قرار می­گیرند. پلاسما از طریق برخورد الکترون­ها و فرآیندهای فتوشیمیایی باعث قطع ارتباط مولکول­ها و درنتیجه تولید رادیکال­های آزاد با چگالی بالا می­ شود. این عمل باعث اختلال پیوندهای شیمیایی در سطح الیاف و پلیمرها و درنتیجه شکل­ گیری گونه­ های شیمیایی جدید می­ شود. هم شیمی سطح و هم توپوگرافی سطح تحت تاثیر پلاسما تغییر می­ کند و مساحت سطح مخصوص الیاف به طور قابل ملاحظه­ای افزایش می­یابد. عمل­آوری با پلاسما در سطح الیاف و پلیمر باعث ایجاد گروه ­های عاملی جدید مثل  ،  ،  می­ شود. این گروه­ ها ترشوندگی پارچه را تحت تاثیر قرار می­ دهند[۹۹].
در تحقیق حاضر به دنبال انجام روش­هایی برای پوشش­دهی منسوج با پلیمرهای رسانا همچون پلی­انیلین، پلی­پیرول و نانولوله­های کربنی است. زیرلایه­ی استفاده شده در این کار پارچه­ی پلی­استری خام و پوشش­دهی شده با نانوذرات مس و نیکل می­باشد.
فصل دوم
تجربیات
بخش تجربیات شامل دو قسمت می‌باشد که عبارتند از: ۱- ساخت پارچه‌‌ی رسانا ۲- دستگاه ها و تجهیزات.
شرح کلی آزمایشات
برای لایه­نشانی منسوج با نانولوله­های کربنی و پلیمر رسانا آزمایشات در چندین مرحله انجام شده است.

1. 1. آماده ­سازی پارچه­ی پلی­استری به دو روش هیدرولیز قلیایی و پلاسمای اکسیژن.

1. 1. ساخت پارچه­ی رسانا توسط لایه نشانی فلزی، که با لایه نشانی احیایی فلز نیکل و مس صورت می­گیرد.

1. 1. ساخت پارچه‌‌ی رسانا توسط پلیمرهای رسانا، که شامل پلیمر رسانای پلی­پیرول و پلی­انیلین می­باشد.

1. 1. ساخت پارچه­ی رسانا توسط توسط لایه نشانی کامپوزیتی از پلیمر رسانای انیلین و پیرول با فلز مس و نیکل.

1. 1. ساخت پارچه­ی­ رسانا توسط لایه­نشانی کامپوزیتی از پلیمر رسانای انیلین و پیرول با نانولوله­های کربنی چند دیواره.

1. 1. ساخت پارچه­ی­ رسانا توسط لایه­نشانی کامپوزیتی از نانولوله­های کربنی، پلیمر رسانای انیلین و پیرول با نانوذرات فلزی مس و نیکل.

آماده ­سازی
پارچه های پلی استر به دلیل جذب رطوبت پایین و هیدروفوب بودن به یک سری عملیات پیش واکنشی جهت ارتقاء قابلیت جذب نیاز دارند به همین دلیل ابتدا این پارچه را با بهره گرفتن از دو روش هیدرولیز قلیایی با سدیم هیدروکسید یا پلاسمای اکسیژن مورد عمل قرار داده شد تا یکسری گروه ­های عاملی هیدروکسیل و خراش در سطح آن ایجاد شود و باعث افزایش جذب آب و هیدروفیل شدن سطح زیرلایه گردد.
آماده ­سازی نمونه با پلاسما
برای ­آماده ­سازی نمونه­ها با پلاسما از دستگاه پلاسما  (  ) ساخت کره استفاده شد. نمونه­ها در یک محفظه­ی کوچک بین دو الکترود قرار گرفته و از اکسیژن به عنوان گاز ورودی استفاده شد. عمل­آوری با پلاسمای اکسیژن به مدت ۱۵ دقیقه در فشار  ۴ و توان ۹۰ وات انجام شد. شکل ۲-۱ دستگاه پلاسمای استفاده شده در این پروژه را نشان می­دهد.
شکل ‏۲‑۱- دستگاه پلاسما
آماده ­سازی نمونه با هیدرولیز قلیایی
به منظور آماده ­سازی نمونه با بهره گرفتن از هیدرولیز قلیایی، ابتدا محلول ۲۰ گرم بر لیتر سدیم هیدروکسید را تهیه کرده و سپس پارچه به مدت ۱۵ دقیقه در دمای ۷۵ درجه در آن غوطه­ور می­ شود. سپس پارچه خارج شده و با آب دوبار تقطیر شستشو داده می­ شود.
مواد و روش­های مورد استفاده برای ساخت منسوج رسانا توسط لایه­نشانی به ‌روش احیایی
همان طور که گفته شد هدف از انجام این پروژه لایه­نشانی منسوج با کامپوزیتی از پلیمر رسانا و نانولوله­های کربنی به منظور استفاده از آن به عنوان الکترود مقابل در سلول خورشیدی می­باشد. از آنجایی که در سلول­های خورشیدی از شیشه­ی رسانا به عنوان زیرلایه استفاده می­ شود در این پروژه از پارچه­های رسانا شده با نانوذرات مس یا نیکل به عنوان زیرلایه استفاده گردید. برای پوشش­دهی منسوجات با نانوذرات فلزی روش­های مختلفی پیشنهاد شده است که بهترین آن­ها لایه­نشانی به روش احیایی می­باشد. در این روش سطح منسوج بدون استفاده از منبع خارجی مولد جریان الکتریکی لایه­نشانی می­ شود. در پروژه حاصل پارچه پلی­استری را با فلزات نیکل و مس به روش احیایی لایه­نشانی کردیم. در این روش یون­های فلزی مس و نیکل که دارای بار مثبت و گیرنده الکترون می­باشند توسط احیاء شیمیایی که بوسیله مواد احیاء کننده صورت می­گیرد، الکترون دریافت نموده و اتم­های فلزی خنثی روی سطح لایه­نشانی می­گردد.
لایه­نشانی با مس
مواد مورد استفاده در لایه‌نشانی احیایی با مس
پارچه‌ی ۱۰۰ درصد پلی­استر با تراکم تار و پود (۳۰×۳۵) و ابعاد نمونه ۵ × ۵ سانتی­متر ، شوینده Dyatex ANW (آنیونیک/نانیونیک) از شرکت دایر شیمی، سود (NaOH)، کلرید قلع (SnCl₂)، اسید کلریدریک (HCL)، کلرید پالادیم (PdCl₂)، سولفات مس (CuSO₄)، سولفات نیکل (NiSO₄.6H₂O)، هیپوفسفیت سدیم (NaH₂PO₂.H₂O)، اسید بوریک (H₃BO₃) و سیترات سدیم (C₆H₅Na₃O₇.2H₂O) است همه این مواد شیمیایی از شرکت مرک آلمان خریداری شده است.
روش لایه نشانی احیایی با مس
به ‌دلیل هدایت الکتریکی بسیار بالای فلز مس، از نمک این فلز برای لایه‌نشانی استفاده شده است. برای لایه­نشانی با مس ابتدا لازم است محلول ها از قبل تهیه شوند.

• • محلول ماده‌ی حساس‌کننده: ۱۰ گرم بر لیتر از کلرید قلع در اسیدکلریدریک حل شده و به حجم رسانده شد. محلول را به مدت ۲۴ ساعت در دمای محیط نگه داشته تا محلول به‌طور کامل شفاف شود.

• • محلول ماده‌ی فعال‌کننده: ۱/۰ گرم بر لیتر کلرید پالادیوم در اسیدکلریدریک حل شده و به حجم رسانده شد. محلول را در دمای محیط قرار داده و بعد از ۲ ساعت آماده شد.

فرایند لایه‌نشانی به‌صورت چند مرحله‌ای انجام گرفت که این مرحله‌ها در شکل۲-۲ نشان داده است.

(۳- ۱)
در سیستم سه فاز متعادل، ولتاژهای خروجی خط به نول لحظه­ای، v_AN، v_BN، و v_CN، به صورت زیر بیان می­شوند:
(۳- ۲)
که، با ترکیب آن با معادله (۳-۱)، خواهیم داشت:
(۳-۳ )
معادلات ۳-۲ و ۳-۳ محاسبه ساده ولتاژهای خروجی خط به خط و خط به نول را برای حالتهای مختلف اینورتر ممکن می­سازند.

۳-۲- ساختار مبدل­های چند سطحی قدرت
قبل از ادامه بحث راجع به این موضوع، باید توجه داشت که عنوان مبدل چند سطحی برای اشاره به یک مدار الکترونیک قدرت که توانایی عملکرد در حالت یکسوساز و معکوس کننده^[۱] را دارد، به کار می رود. ساختارهای اینورتر چند سطحی کانون توجه این فصل می­باشد، هرچند ساختار ترسیم شده، می ­تواند برای عملکردهای یکسوکنندگی نیز اعمال گردد.
۳-۲-۱- پل ­های H متوالی بامنبع DC جداگانه
ساختار تک فاز یک اینورتر متوالی چند سطحی در شکل ۳-۲ رسم شده است. هر منبع DC جداگانه (SDCS^[2]) به یک پُل کامل تک فاز یا یک اینورتر پُل H متصل می­ شود. هر سطحی از اینورتر قادر به تولید سه خروجی متفاوت ولتاژ، V_DC + صفر و –V_DC است که با اتصال منبع DC به خروجی AC همراه با تلفیق متفاوتی از هر چهار کلید S1, S2, S3, S4 صورت گرفته است. برای دستیابی به ولتاژ +V_DC ، کلیدهای S₁ و S₄ روشن شده و برای رسیدن به ولتاژ –V_DC ، کلید­های S₂ و S₃ روشن می­شوند. با روشن کردن S₁ و S₂ یا S₃ و S₄ ولتاژ خروجی صفر می­گردد۳۲٫ خروجی­های ac هر یک از سطوح مختلف اینورتر پُل کامل به صورت سری متصل می­ شود به طوری که شکل موج تلفیقی ولتاژ، حاصل جمع خروجی­های اینورتر است. تعداد سطوح ولتاژهای فاز خروجی، m، دریک اینورتر متوالی با رابطه m = 2S+1 تعریف می­ شود که S همان تعداد منابع DC جداگانه می­باشد.]۳۱-۳۵[
نمونه ­ای از شکل موج ولتاژ فاز برای یک اینورتر پل H متوالی ۱۱ سطحی همراه با ۵ منبع DC مجزا و ۵ پل کامل در شکل ۳-۳ نشان داده شده است. ولتاژ فاز برابر است با :
V_an = V_a1+ V_a2+ V_a3+ V_a4+ V_a5
شکل ۳-۲ : ساختار مدار یک فاز از اینورتر چند سطحی متوالی
شکل ۳-۳ : شکل موج ولتاژ خروجی اینورتر چند سطحی متوالی با پنج منبع dc مجزا
زاویه­ های تنظیم  ، می­توانند به گونه ­ای انتخاب شوند که اعوجاج­ هارمونیکی کل ولتاژ به حداقل برسد. به طور کلی هارمونیک­های پایین­­تر غالب مثل هارمونیک­های پنجم، هفتم، یازدهم و سیزدهم حذف می گردند. جزئیات بیشتر مرتبط با تکنیک­های حذف هارمونیک در بخش­های بعدی معرفی خواهد شد. اینورترهای متوالی شده چند سطحی، برای کاربردهایی مانند تولید توان راکتیو ایستایی^[۳]، رابطه منابع انرژی تجدیدپذیر^[۴]و موارد مرتبط با کاربردهای باتری ـ محور، پیشنهاد گردیده است. اینورترهای متوالی ۳ فاز می­توانند به صورت ستاره وصل شوند و یا در حالت مثلث به نمایش در آیند]۳۶،۳۵[.
مزایا و معایب اصلی مبدل های پل H متوالی چند سطحی موارد زیر را در بر می گیرد:
مزایا:
- تعداد سطوح ولتاژ خروجی بیش از دو برابر تعداد ولتاژ های لینک DC است m=2S+1 .
- پل­های سری H مناسب برای تولید بسته ای در قالب یک مجموعه یکپارچه برای هر سطح می باشند. این فرایند تولید را سریع­تر و ارزان­تر می­سازد]۳۸،۳۷٫[
معایب:
- منابع dc جداگانه­ ای برای هر یک از پل­های H مورد نیاز است. همین امر کاربردش را برای محصولاتی که قبلاً منبع تغذیه های چندگانه را به صورت آماده در اختیار داشته اند با محدودیت مواجه می­سازد.
۳-۳- روش های کنترل منبع ولتاژی
این روش ها بر اساس یک الگوی ثابت کلیدهای اینورتر را روشن و خاموش می کنند تا یک شکل موج ولتاژ ثابت در خروجی تولید شود. به این ترتیب از دید خروجی، اینورتر مشابه یک منبع ولتاژ عمل خواهد کرد. از این روش­ها بویژه در کنترل اینورترهایی که خروجی آنها بصورت جدا از شبکه یک بار مشخص را تغذیه می کند، استفاده می شود. همچنین در اینورترهای موازی با شبکه، وقتی هدف تنها تزریق توان اکتیو یا راکتیو باشد، چنین روش هایی به راحتی قابل استفاده خواهند بود (در این حالت جریان مرجع خروجی اینورتر تنها شامل مولفه اصلی خواهد بود)] ۴۰،۳۹[.
۳-۳-۱- مدولاسیون پهنای پالس سینوسی دو قطبی (SPWM^[5])
مدولاسیون پهنای پالس عبارت است از تغییرات دامنه یک سیگنال به تغییرات پهنای یک پالس­مربعی. مدولاسیون پهنای پالس سینوسی بدلیل سادگی در پیاده سازی روی مدار و در دسترس بودن قطعات مورد نیاز آن بصورت ماژول های آماده، همچنان یکی از محبوب­ترین طرح­های کلیدزنی اینورترهاست.
سیگنال PWMرابرحسب کاربردهایی که دارند می توان به چند روش تولید کرد که عبارتند از:
روش دیجیتال:
اصل پایه در تولید سیگنال PWM در روش دیجیتالی اینست که یک شمارنده مدام در حال شمارش افزایشی بوده از مقدار صفر تا FF هگز و دوباره بازگشت به مقدار صفر) و مقدار این شمارنده با مقدار موجود در یک رجیستر که قبلا ذخیره شده و یا با حاصل تبدیل یک مبدل آنالوگ به دیجیتال مقایسه می شود و حاصل این مقایسه پالس هایی می باشد که از انها متناسب با داده موجود در رجیستر یا داده بدست آمده از مبدل ADC است. نمونه ای از این روش با بهره گرفتن از رجیستر در شکل ۳-۴ نشان داده شده است. همانطوری که در شکل نیز مشخص است، عمل شمارش توسط IC74LS161 انجام می شود که کلاک آن توسط اسیلاتور ساخته شده با ۷۴LS14 تامین شده است.

شکل۳-۴: سیگنال تولید شده PWM به روش دیجیتالی
فرکانس کلاک این اسیلاتور از رابطه زیر بدست می ­آید:
F= 1/6.3×R×C
۲-روش انالوگ:
الگوی کلی کلیدزنی اینورترها بر اساس طرح مدولاسیون پهنای پالس سینوسی در شکل ۳-۵ نشان داده شده است. همانطور که در این شکل دیده می شود یک شکل موج سینوسی در فرکانس پایه بعنوان موج مرجع، با یک موج حامل که معمولاً شکل موج دندان اره ای دارد و در فرکانس n برابر فرکانس پایه نوسان می­ کند مقایسه می­ شود. بزرگتر بودن موج مرجع سینوسی به معنای این است که پل اینورتری در وضعیت مثبت قرار می­گیرد و بزرگتر بودن موج حامل وضعیت منفی را فعال می­ کند. یک چنین طرحی به راحتی روی اینورترهای نیم موج و تمام موج قابل اجراست.
محاسبه شاخص مدولاسیون در روش آنالوگ بصورت زیر می­باشد:
همانگونه که در شکل ۳-۶ نیز طیف هارمونیکی ولتاژ خروجی را نشان می دهد، پایین ترین مرتبه هارمونیک غیر اصلی قابل توجهی که در این طرح تولید می شود، از مرتبه ۱۹ و ۲۱ است. این طرح کلید­زنی بویژه برای اینورترهای ۳ فاز ۶ کلیده بسیار مورد توجه است. در این طرح با توجه به تعداد کم پله های ولتاژ خروجی، ولتاژ حالت مشترک نسبتاً بزرگی تولید می­ شود که برای رفع آن استفاده از اینورترهای چندسطحی می ­تواند یکی از گزینه ها باشد. ایده کلیدزنی به روش مدولاسیون موج مربعی دو قطبی و تک قطبی را می توان به صورت جداگانه روی سطوح مختلف یک اینورتر چند سطحی متوالی پیاده کرد. در حالتی که کنترل همه کلیدها در تمام سطوح با پارامترهای مدولاسیون مشابهی صورت پذیرد، این روش مشابه عملکرد یک پل اینورتری تنها با ولتاژ dc چند برابر بزرگتر خواهد بود. با این تفاوت که هر یک از کلیدهای نیمه هادی قدرت در اتصال چند سطحی ولتاژ کمتری را متحمل می شوند. یک مزیت این طرح این است که می توان از یک سیستم تولید پالس واحد برای تمام سطوح استفاده کرد. تنها کافیست خروجی، برای پل های مختلف از یکدیگر مجزا شود. به این ترتیب هزینه پیاده سازی این طرح کنترلی به حداقل خواهد رسید]۴۰[.

شکل ۳- ۵: سیگنال تولید شده PWM به روش آنالوگ
شکل ۳-۶ : a) موج مدولاسیون و موج حامل در مدولاسیون پهنای پالس سینوسی b) ولتاژ تولیدی هر فاز در اینورتر نیم موج تکفاز c) طیف هارمونیکی ولتاژ تولیدی (f_c=21 f₀ و m=0.8)
۳-۳-۲- مدولاسیون پهنای پالس سینوسی با مدولاسیون چند گانه]۵۱[
همانطور که پیشتر گفته شد، وقتی یک اینورتر تکفاز دو قطبی به روش مدولاسیون پهنای پالس سینوسی کلیدزنی شود اولین هارمونیک قابل توجه در ولتاژ تولیدی از مرتبه n برابر فرکانس پایه است که n ضریب فرکانس موج حامل نسبت به موج مرجع است. اما این تا زمانی برقرار است که ضریب شاخص مدولاسیون کمتر از یک باشد. برای توضیح این مساله شکل های ۳-۷ و ۳-۸ نمونه شکل موج های خروجی SPWM را برای مقادیر مختلف شاخص مدولاسیون نشان می­ دهند. همانگونه که دیده می­ شود افزایش شاخص مدولاسیون به بالای یک (حالت فوق مدولاسیون) در عین اینکه فرکانس کلیدزنی را پایین می ­آورد (که این به نوبه خود یک مزیت محسوب می شود) اما دامنه هارمونیک های مرتبه پایین را که فیلتر کردن آنها دشوار است به شکل نامطلوبی افزایش می­دهد ]۴۱[.
وقتی از یک اینورتر چند سطحی استفاده شود که هر سطح با مدولاسیون پهنای پالس سینوسی با فرکانس مشابه f_c کلیدزنی می­ شود به دلیل افزایش دامنه مولفه اصلی ولتاژ خروجی، دامنه دیگر هارمونیک های تولیدی کمتر به چشم می آید و ضریب اعوجاج کل حتی در حالتی که شاخص مدولاسیون برای برخی سطوح اینورتر بالای یک باشد نیز قابل قبول خواهد بود. برای مثال شکل ۳-۹ نتیجه جمع شدن ولتاژ خروجی سه اینورتر تکفاز را در یک اینورتر چند سطحی نشان می دهد. هر سطح با شاخص مدولاسیون متفاوتی کنترل می شود. بنابراین حداقل برای برخی سطوح می توان فرکانس کلید زنی را به این روش به طرز چشمگیری کاهش داد.
شکل ۳-۷ : a) مدولاسیون پهنای پالس سینوسی به ازای m=1.4 و f_c=21f₀b) شکل موج ولتاژ تولیدی c) طیف هارمونیکی ولتاژ تولیدی
محاسبه شاخص­ های مدولاسیون سطوح مختلف در اینجا با تعریف یک تابع هزینه مطلوب و بهینه سازی آن بر اساس چند شرط انجام می­ شود:
- شاخص­ های مدولاسیون حتی الامکان بالا باشند تا فرکانس کلیدزنی در اینورتر هرچه پایین بیاید.
- دامنه موج اصلی ولتاژ خروجی باید از مقدار مرجع تبعیت کند.
- شاخص اعوجاج هارمونیکی کل باید در حد مطلوبی پایین باشد.
شکل ۳-۸ : (a مدولاسیون پهنای پالس سینوسی به ازای m=0.4 و b f_c=21f₀) شکل موج ولتاژ تولیدی c) طیف هارمونیکی ولتاژ تولیدی
توجه به این نکته حائز اهمیت است که در محاسبه شاخص اعوجاج هارمونیکی می­توان از هارمونیک های مرتبه بالا که معمولاً براحتی با فیلترهای پسیو حذف می­شوند صرف نظر کرده و آنها را صفر در نظر گرفت.
شکل ۳-۹ : a) ولتاژ تولیدی یک اینورتر چند سطحی حاصل از جمع سه ولتاژ تولیدی به روش SPWM با فرکانس موج حامل یکسان fc=21f0 و شاخص های مدولاسیون m=0.4 , 1 , 1.4b) طیف هارمونیکی ولتاژ
۳-۳-۳- مدولاسیون پهنای پالس سینوسی با چند فرکانس موج حامل
همانطور که اشاره شد، وقتی از اینورتر چند سطحی استفاده شود، می توان فرکانس کلیدزنی را حداقل برای برخی سطوح کاهش داد، بدون اینکه اعوجاج هارمونیکی ولتاژ خروجی افزایش چشمگیری پیدا کند. به این ترتیب سطوح مختلف اینورتر با شاخص مدولاسیون مشابه ولی با فرکانس های موج حامل متفات f₁ و f₂ و … کلیدزنی می شوند. به این ترتیب پایین ترین مرتبه هارمونیک ولتاژ خروجی برابر با پایین ترین فرکانس کلیدزنی سطوح اینورتر است که ممکن است به حدی پایین آورده شود که به خوبی قابل فیلتر کردن نباشد اما دامنه آن با توجه به اینکه تنها در یکی از سطوح اینورتر تولید می­ شود، می ­تواند در ولتاژ کلی خروجی پایین باشد. برای مثال شکل ۳-۱۰ ولتاژ تولیدی سطوح مختلف یک اینورتر ۷ سطحی را نشان می­دهد که با فرکانس­های متفاوتی کلید زنی می شوند. محاسبه همزمان شاخص مدولاسیون و فرکانس­های کلیدزنی با تعریف تابع هزینه مناسب و مینیمم کردن آن با قیود زیر انجام می شود:

مفهوم توسعه روستایی در چارچوب متفاوت و گسترده به کار برده می شود و تعریف جامعی ، که همه اهل فن و افرادصاحب نظر بپذیرند ،ارائه نشده است . برخی آن را همانند توسعه ملی می دانند که بر مکان محدودتری (روستا) تاکید دارد .(دیاس و دیگران، ۱۳۶۸، ۷۳)
میسرا مکتب روهوت بر رویکردی مشابه با رویکرد توسعه همه جانبه روستایی تاکید دارد و اصول زیر را برای توسعه مطرح می کند :

1. 1. رشد کشاورزی به عنوان پیش نیاز توسعه روستایی

1. 1. تنوع بخشی به واحد های زراعی

1. 1. در نظر گرفتن واحد زراعی خانواده به عنوان یک واحد زراعی

1. 1. توسعه نظام حمایتی

1. 1. سازماندهی مزارع

1. 1. شهر نشینی به عنوان عامل تقویت کننده توسعه روستایی

در مکتب روهوت رویکرد حرکت از کشاورزی معیشتی به کشاورزی تجاری مد نظر است . ( ازکیا و همکار، ۱۳۸۳، ۳۴-۳۳)
واتر استون نیز شش مولفه اساسی را برای دستیابی به توسعه همه جانبه روستایی با دوام پیشنهاد کرده است که عبارتند از :

1. 1. توسعه کشاورزی کاربر

1. 1. طرح های کوچک و اشتغال زا

1. 1. تاسیس صنایع کوچک و کاربر در مزارع و حواشی آنها

1. 1. خودیاری و مشارکت محلی در تصمیم گیری ها

1. 1. توسعه یک نظام سلسله مراتب شهری برابر پشتیبانی توسعه روستایی

1. 1. امکانات نهادی مناسب و خود اتکا برای هماهنگی برنامه های چند بخشی

روستا ها کانون و مرکز اشاعه توسعه کشور به حساب می آیند ؛ بنابراین هزینه کردن در جهت اهداف توسعه ای در مناطق روستایی کار عبث وغیر قابل برگشتی نیست ، بلکه سود و منافع حاصل از آن غیر قابل انکار است و همین کارهای پایه و زیربنایی چرخه های بزرگ صنعت را به گردش می آورد و تعامل شهر و روستا را به صورت ملموسی تحقق می بخشد .
۲-۸-۱- برنامه چیست ؟
برنامه عبارت است از تعهد برای انجام یکسری عملیات به منظور تحقق اهداف. یا به عبارت دیگر تعیین هدفی کوتاه وراه رسیدن به آن.
در واقع برنامه عبارت است از :

1. 1. نمایش برنامه ریزی انجام شده

1. 1. نمایش منظم با رعایت سلسله مراتب فعالیت های مربوط به هم و مربوط به یک رشته تصمیمات منظم بر حسب دوره های زمانی معین

1. 1. برنامه گاهنامه تصمیمات منظم بر اساس سلسله مراتب عملیات ( شریعت پناهی ، ۱۳۹۱)

      1. 1. ۲ - برنامه ریزی و جایگاه آن در اهداف توسعه

       

       

برنامه ریزی یعنی اندیشیدن به راهی که پیش رو قرار دارد . به دیگر مفهوم ، برنامه ریزی تدبیر و تدبر در قالب یک پیش بینی مستدل به منظور ترسیم بهترین تصویر ممکن از آینده است . برنامه ریزی تمرکز عقل و دانش است برای مواجهه با واقعیت ها و فرایند های تصمیم گیری ، تشخیص و دستیابی به بهترین و مطلوبترین موقعیت در آینده . در اصل برنامه ریزی آماده شدن جهت انجام کاری و پلی برای اتصال وضع موجود به وضع مطلوب آینده است . (مطیعی لنگرودی و همکار، ۱۳۸۸، ۱۲۹)
برنامه ریزی را می توان چنین تعریف کرد : جریانی آگاهانه و جامع نگری در امور به منظور دستیابی به اهدافی مشخص که انجام دادن یک سلسله فعالیت ها و اقدامات مرتبط با یکدیگر را در آینده پیش بینی کند . (شهبازی ، ۱۳۷۲، ۳۱۷)
نخستین شرط برای برنامه ریزی آگاهی و شناخت است ؛ این شناخت می تواند شامل موارد ذیل باشد :

• • شناخت امکانات و منابع بالفعل و بالقوه

• • شناخت کیفیت منابع انسانی و استعداد ها

• • شناخت خواست ها ، نیازها ، علایق و آرمان ها

• • شناخت مسائل ، مشکلات و کمبودها

• • تشخیص اولویت ها ، هدف ها ، راهبردها و راهکارها (مطیعی لنگرودی و همکار، ۱۳۸۸، ۱۲۹)

حاصل کار برنامه ریزی را برنامه می گویند . بنابریان برنامه باید بر اساس تجزیه و تحلیل وضع موجود و منطبق بر خواست ها و علایق جامعه در راستای رسیدن به اهداف بالادستی باشد .
برنامه ریزی در سطح کلان ( اقتصاد ملی ) برنامه ریزی در سطح بخش ها و برنامه ریزی در سطح مناطق یا نواحی به کارگیری هر یک از این سطوح برنامه ریزی از نظر زمانی و مکانی قابل تحقیق و بررسی است ولی آنچه مهم است به نظر می رسد سیر تکوینی این برنامه ریزی ها به ویژه در کشور های در حال توسعه است و توسعه پدیده جدیدی نیست ، توسعه به شکل کوششی آگاهانه و نهادی شده و مبتنی بر برنامه ریزی برای ترقی اجتماعی و اقتصادی بوده است . ( میسرا و همکار، ۱۳۶۵، ۶)
نظام برنامه ریزی در بیشتر کشورها در زمینه تنظیم و اجرای راهبرد ها و سیاستهای توسعه به صورت متمرکز است . برنامه ریزی در سطح منطقه ای و محلی از این نظام متمرکز متاثر و طرح ها در چارچوب برنامه ملی تهیه می شود . (رضوانی ،۱۳۸۷، ۱۲۶)
در برنامه ریزی ها مدل هایی از روابط بین سطوح وجود دارد که عبارتند از :

• • مدل بالا به پایین ( تصمیم گیری از سوی مقامات سیاسی و اعلام آن به رده های پایین می باشد.)

• • مدل پایین به بالا ( سطوح محلی نقش موثری در کنترل برنامه ریزی ملی دارند و خط مشی ها را آنها تعیین می کنند . )

• • تلفیق و ترکیب دومدل فوق ( که افزایش تعامل و هماهنگی بین آنها باعث ایجاد گزینه های مطلوب در تحقق اهداف توسعه ای می شود . ) ( رضوانی ، ۱۳۸۷، ۱۲۹-۱۲۸ )

فصل سوم
معرفی ناحیه مورد مطالعه
( شناخت وضعیت موجود ناحیه)
معرفی شهرستان ورامین
۳-۱- موقعیت ، وسعت و تقسیمات کشوری

فصل دوم: طراحی فضاهای زیر زمینی
۲-۱- مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………………………………..۱۹
۲-۲- رفتار شکننده و خمیری ……………………………………………………………………………………………………………………….۱۹
۲-۳- تعریف خرابی و شکست ……………………………………………………………………………………………………………………….۲۰
۲-۴- طراحی فضای زیر زمینی …………………………………………………………………………………………………………………….۲۲
۲-۵- بررسی تنش­ها در اطراف سازه­های زیر زمینی …………………………………………………………………………………….۲۳
۲-۵-۱- تخمین تنش اولیه………………………………………………………………………………………………………………………..۲۴
۲-۵-۱-۱- تنش عمودی……….. ……………………………………………………………………………………………………………..۲۴
۲-۵-۱-۲- تنش افقی ……………………………………………………………………………………………………………………………………………………….۲۶
۲-۵-۲- تنش در اطراف حفره­ی دایره­ شکل………………………………………………………………………………………………۲۷
۲-۵-۳- تنش در اطراف حفره­ی بیضی­ شکل…………………………………………………………………………………………….۳۰
فصل سوم: معیار شکست وتعیین ضرایب آنها
۳-۱- معیار­های دو بعدی…………………………………………………………………………………………………………………………………۳۳
۳-۱-۱- معیار بنیاوسکی……………………………………………………………………………………………………………………………..۳۶
۳-۱-۲- معیار هوک-براون………………………………………………………………………………………………………………………….۳۶
۳-۲- تعیین ضرایب معیار ………………………………………………………………………………………………………………………………۳۹
۳-۲-۱- تئوری رگرسیون …………………………………………………………………………………………………………………………..۳۹
۳-۲-۲- تعیین ضرایب معیار هوک-براون………………………………………………………………………………………………….۴۰
۳-۲-۳- تعیین ضرایب معیار بنیاوسکی……………………………………………………………………………………………………..۴۲
۳-۳- داده ­های آماری ……………………………………………………………………………………………………………………………………..۴۳
۳-۴- نتایج……………………………………………………………………………………………………………………………………………………….۴۴
فصل چهارم: اصول روش اجزای محدود
۴-۱- روش باقیمانده­های وزنی………………………………………………………………………………………………………………………..۵۳
۴-۱- ۱-روش گالرکین………………………………………………………………………………………………………………………………..۵۴
۴-۱-۱-۱-روش اجزای محدود گالرکین…………………………………………………………………………………………………۵۵
۴-۲- المان­های مثلثی……………………………………………………………………………………………………………………………………..۵۷
۴-۲-۱- فرمول توابع شکل لاگرانژ………………………………………………………………………………………………………………۵۹
۴-۲-۲- توابع شکل دو بعدی………………………………………………………………………………………………………………………۵۹
۴-۳- المان مستطیلی………………………………………………………………………………………………………………………………………۶۰
۴-۴- انتگرال عددی گوسین……………………………………………………………………………………………………………………………۶۶
۴-۵- روش­های تکرار برای معادلات غیر خطی………………………………………………………………………………………………۶۹

۴-۵- ۱- روش تکرار شونده مستقیم………. ………………………………………………………………………………………………..۶۹
۴-۵- ۲- روش ماتریس مماسی………. ………………………………………………………………………………………………………..۷۰
فصل پنجم: روش اجزای محدود در محیط الاستو پلاستیک دو بعدی
۵-۱- مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………………………………..۷۲
۵-۲- معیار تسلیم……………………………………………………………………………………………………………………………………………۷۴
۵-۲-۱- معیار تسلیم ترسکا………………………………………………………………………………………………………………………..۷۵
۵-۲-۲- معیار تسلیم موهر-کلمب………………………………………………………………………………………………………………۷۶
۵-۳-رابطه تنش-کرنش در حالت الاستو پلاستیک……………………………………………………………………………………….۷۶
۵-۴- معیار تسلیم هوک-براون……………………………………………………………………………………………………………………….۸۱
۵-۴- ۱- ویژگی­های سطح تسلیم………………………………………………………………………………………………………………۸۲
۵-۴- ۲- محاسبه ماتریس الاستو پلاستیک معیار هوک-براون…………………………………………………………………۸۲
۵-۵- تحلیل تنش پلاستیک کامل………………………………………………………………………………………………………………….۸۵
فصل ششم: نتایج
۶-۱-مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………………………………….۸۷
۶-۱- ۱- مثال ۱………………………………………………………………………………………………………………………………………….۸۷
۶-۱-۲- مثال ۲……………………………………………………………………………………………………………………………………………۹۱
۶-۱-۳- مثال ۳……………………………………………………………………………………………………………………………………………۹۳
۶-۱-۴- مثال ۴……………………………………………………………………………………………………………………………………………۹۴
۶-۱-۴-۱- مشخصات سازه زیرزمینی…………………………………………………………………………………………………….۹۵
۶-۱-۴- مثال ۵……………………………………………………………………………………………………………………………………………۹۶
۶-۱-۵- مثال ۶……………………………………………………………………………………………………………………………………………۹۸
۶-۱- ۶- مثال۷……………………………………………………………………………………………………………………………………………..۱۰۲ منابع……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….۱۰۶

۴- معافیت خالص مالیاتی برای مدت پنج سال برای صنایع با سطح تکنولوژی پیشرفته.^[۱۶۴]

وابستگی سنگاپور به تجارت خارجی، سبب شد تا به لحاظ بین المللی قابل باقی بماند. این امر در تصمیماتی که در زمینه ی افزایش دستمزدها توسط شورای ملی دستمزدها گرفته شد، متجلی است. ایجاد شورای ملی دستمزدها را می توان نشانی از تمایل دولت برای تعیین نیروهای بازار در تعیین افزایش دستمزدها دانست. علاوه بر این، در حالی که دولت به اهمیت و نقش سرمایه گذاری های خارجی در توسعه اقتصادی واقف بود، درصدد ارتقای منابع انسانی و حمایت از توسعه ساختارهای لازم برای یک محیط تجاری سالم بود. به ویژه بهبود مهارت نیروی کار ضروری تشخیص داده شد.
بنابراین در این توسعه، بنیان های لازم برای آموزش های صنعتی فراهم آمد. در حالی که دولت به سیاست قوی شدن موسسات آموزشی تداوم می بخشید، در صدد ایجاد مراکز مشترک برای امر آموزش صنایع از طریق مجمع توسعه اقتصادی برآمد. مرکز آموزشی مجمع که با کمک شرکت های چند ملیتی تاسیس گردید. چارچوب لازم را برای طرح آموزش صنعتی مشترک با موفقیت فراهم آورد.^[۱۶۵]
اگر چه برخی از تحلیلگران این سیاست را نخستین کوشش برای ارتقای صنایع که در اثر رکود جهانی عقیم مانده بود، می دانند. ولی مسئله بیشتر ورود کارگر خارجی به منظور کاهش فشار روی دستمزدها و همچنین حرکت به سوی صنایع با تکنولوژی سرمایه بر بود. بی شک، بدون وجود کارگران خارجی، بسیاری از صنایع کاربر مایل به خروج از سنگاپور در این دوره بودند، همچنین بدون وجود نیروی کار ماهر که توسط طرح مشترک کار آموزی صنعتی تربیت می شدند، شرکت های چند ملیتی قادر نبودند خدمات حمایتی با کیفیت بالا را برای صنایع سنگاپور ارائه کنند.
دوره‌ی چهارم برنامه ی توسعه، شرایط محیطی شبیه شرایط حاکم بر ابتدای دوره‌ی قبل بود. بازار کار کساد شده و جریان کارگران خارجی به کشور متوقف شده بود. در این شرایط دولت وظیفه خود را تاکید بر اصلاح ساختارهای اقتصادی گذاشت. موفقیت در جذب سرمایه گذاری های خارجی سبب وابستگی شدید کشور به شرکت های خارجی، به ویژه در بخش صنایع گردید. در این وضعیت، هدف دولت، افزایش جریان سرمایه های خارجی به کشور و افزایش مهارت های نیروی کار بود. برخلاف شرایط حاکم بر نیمه ی دوم دهه ۶۰ و ۷۰ میلادی که رقابت کمکی برای جذب سرمایه های خارجی وجود داشت، انتظار دولت سنگاپور، افزایش رقابت با دیگر کشورها در جلب سرمایه های خارجی بود.^[۱۶۶]
با توجه به حجم سنگین سرمایه گذاری طی این دوره، رشد تولید صنایع راضی کننده نبود. در عوض، رشد سریع خدمات تجاری و مالی که بهره دهی آن ها بیشترین سرعت رشد را طی این دوره داشت، مهمترین عامل در تعیین سنگاپور به عنوان یک مرکز مالی بود. در این شرایط نیاز به ایجاد شتاب در تنوع اقتصادی سنگاپور که از گذشته نیز به خوبی متنوع شده بود، بیشتر حس می شد. در این زمان با وقوع بحران های نفتی، خسارت های زیادی بر صنایع کشتی سازی وارد کرد. از سوی دیگر هزینه های سیاست دستمزدهای بالا طی دوره ی ۱۹۸۴-۱۹۷۹ میلادی به خوبی در عملکرد صنایع قابل مشاهده است.^[۱۶۷]
دوره‌ی پنجم که از اواسط دهه ۸۰ آغاز شد، دوران تثبیت اقتصاد سنگاپور است. در این دوره مجمع توسعه اقتصادی تلاش های زیادی را برای افزایش سرمایه گذاری، خاصه در صنایع با تکنولوژی پیشرفته آغاز کرد. تاسیس صندوق مخاطره ای با سرمایه ای معادل صد میلیون دلار سنگاپور، برای کمک به سرمایه گذاری در شرکت های تکنولوژی جهت تشویق انتقال سرمایه بود. همچنین مجمع، مسئول افزایش سرمایه گذاری در صنعت خدمات شد. علاوه بر آن انگیزه هایی را برای بخش خدمات، از جمله معافیت مالیاتی فراهم کرد.
همانند دوره های قبلی این اقدامات دولت با موفقیت همراه بود و سبب بهبود سریع وضع اقتصادی گردید. رشد واقعی محصول ناخالص داخلی که در سال ۱۹۸۶ میلادی حدود ۶/۱ درصد بود، در سال های بعد به بالای ده درصد افزایش یافت.
تجربه‌ی پنج دوره توسعه در سنگاپور نشان می دهد که سیاست های مهم و کلیدی دولت عبارت بودند از:
۱- انتخاب صنعتی شدن به عنوان راهبرد اصلی توسعه و ایجاد اشتغال،
۲- تکیه بر بخش خصوصی، خاصه شرکت های چند ملیتی برای ایجاد و هدایت سرمایه گذاری ها، گرچه دولت خود در جایی که بخش خصوصی واکنش مناسب نشان نمی‌داد دست به اقدام می زد،
۳- سرمایه گذاری در نیروی انسانی،
۴- ایجاد رابطه مناسب صنعتی و ارتقا رابطه سه جانبه میان دولت، صنعت و کارگران،
۵- ایجاد جو با ثبات اقتصاد کلان، از طریق سیاست های پولی و مالی مناسب.
از جمله مهمترین سیاست های صنعتی، مداخلات راهبردی بود که از راه های زیر عمل می شد،
۱- مشوق‌های آزاد مالی، ابتدا با هدف شروع فرایند صنعتی شدن ، ولی بعدها با هدف تشویق انواع خاصی از سرمایه گذاری ها و فعالیت ها،
۲- هدف گذاری صنعتی از طریق مشوق های سرمایه گذاری، که طی زمان برای انعکاس تغییر از صنایع کاربر و با تکنولوژی پایین به صنایع سرمایه بر و با تکنولوژی بالا، اصلاح گردید.
در واقع سنگاپور در حال گذار به دوره ی جدیدی است، یعنی تشویق سرمایه گذاری در خارج.^[۱۶۸]
در میان بخش های مختلف اقتصادی سنگاپور، صنعت از اهمیت ویژه ای برخوردار است و هر سال مقدار زیادی در این بخش سرمایه گذاری می شود. با توجه به محدود بودن بازار داخلی و با در نظر گرفتن این نکته که بازار داخلی این کشور چهار میلیونی محدود است و دو سوم محصولات صنعتی آن به خارج صادر می شود، اقتصاد این کشور به شدت از نوسانات و یا رکود بازار جهانی آسیب می بیند.
به علت افزایش تولیدات و تورم کمتر نسبت به کشورهای صنعتی دیگر، تولیدات صنعتی سنگاپور در بازار های بین المللی با تولیدات سایر کشورها رقابت می کند. دولت سنگاپور با اذعان به این که رشد اقتصادی آینده این کشور با غلبه بر محدودیت منابع و بازار داخلی بستگی دارد، با شدت تمام شرکت هایش را به گسترش فعالیت در سطح منطقه و جهان سوق داده است.
در بخش انرژی سنگاپور نیازهای نفت و گاز خود را از خارج به ویژه مالزی تامین می‌کند. با این حال یکی از بزرگترین مراکز تصفیه ی نفت خام را دارا می باشد.
سنگاپور در دو صنعت پتروشیمی و برق رشد سریعی داشته است که این رشد در پتروشیمی محصول مستقیم زیر ساخت قوی در پالایش نفت می باشد. سنگاپور به دنبال سیاست سرمایه گذاری در پروژه های برق، دفاتری در چین و هند افتتاح کرده است. وسعت کم خاک سنگاپور باعث شده است که در بخش کشاورزی فعالیت چندانی وجود نداشته باشد و هر سال مقادیر زیادی از تولیدات کشاورزی برای مصارف داخل و صادرات مجدد وارد این کشور می شود. محصولات عمده ی کشاورزی سنگاپور، نارگیل و توتون است . دامپروری در این کشور رواج چندانی ندارد، با این حال صید ماهی و محصولات دریایی در سنگاپور اهمیت زیادی دارد.^[۱۶۹]
حال به جداولی از اقتصاد سنگاپور می پردازیم.
جدول (۶-۳) نرخ ارز سنگاپور به ازای هر دلار آمریکا از سال ۲۰۰۶ تا ۲۰۰۸میلادی^[۱۷۰]

جدول شماره (۷-۳) تولید ناخالص داخلی سنگاپور(بر اساس نرخ رشد واقعی) از سال۲۰۰۷ تا۲۰۱۰ میلادی^[۱۷۱]